Samsung está mostrando sus músculos. Corea puede superar a Taiwán

¿Será destronado TSMC? Los nuevos y ambiciosos planes de Samsung suponen teóricamente superar al gigante taiwanés en el caso de la litografía de 2 nm.

Contamos con tres actores importantes en el mercado de producción de semiconductores: TSMC, Samsung y Intel. La primera de estas empresas es líder indiscutible desde hace muchos años. Esto no significa, sin embargo, que los coreanos y los estadounidenses no estén intentando con todas sus fuerzas superar a los taiwaneses.

Samsung se centra en sistemas de inteligencia artificial, HPC y teléfonos inteligentes

Hoy durante el evento Foro de fundición de Samsung En San José (EE.UU.), el chaebol publicó un nuevo mapa editorial que revela información sobre las próximas litografías. Los coreanos ven un gran potencial en la inteligencia artificial y los aceleradores utilizados para trabajar con ella.

En 2025, Samsung planea lanzar el nodo SF2anteriormente conocido como SF3P. Así será el proceso de producción de clases 2 nanómetros, destinado principalmente a sistemas HPC y SoC para teléfonos inteligentes. Lo que es importante esto es para permitirle superar a TSMC, que supone que la producción en el proceso de N2 no se producirá hasta finales de 2025. Cabe destacar, sin embargo, que actualmente los nombres de todas las fundiciones son: esfuerzos puramente de marketing.

Samsung está mostrando sus músculos.  Corea puede superar a Taiwán

En 2026 es de esperar SF2Pes decir, una solución SF2 mejorada, todavía en tecnología GAA (Puerta completa). Este nodo ofrecerá transistores más rápidos, pero menos densamente empaquetados. Un año después, en 2027, lo conseguiremos SF2Z con fuente de alimentación trasera, que mejorará, entre otras cosas, gestión de caída de tensión (caída IR) y eficiencia.

Samsung está mostrando sus músculos.  Corea puede superar a Taiwán

También en 2027, según los coreanos, obtendremos un nodo. SF1.4como sugiere el nombre, el proceso de clase 1,4 nanómetros. Curiosamente, no incluirá fuente de alimentación trasera, distinguiéndose claramente de las soluciones de Intel y TSMC. Sin TLP sin embargo, puede estar dictado por el deseo de optimizar los costos de producción.

Menos innovador, pero igualmente interesante SF4U, cuya producción en masa está prevista por Samsung para 2025. Está destinado a ser una variante económica para nodos de clase. 4 nanómetrosdonde se incrementó potencia y eficiencia, manteniendo un precio atractivo para los clientes de la fundición coreana.

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