Los medios de comunicación coreanos informan que Samsung ha logrado un progreso significativo en la producción de su avanzado Memoria Sexta generación en litografía de 10 nm, conocida como 1C DRAM. Las pruebas muestran que el logro de nuevos sistemas aumentó a un nivel del 50-70%, lo que es una mejora significativa en comparación con los resultados de hace un año, que no superó el 30%patético.
Los nuevos sistemas Samsung irán a dispositivos y servidores móviles
Mientras que a los competidores les gusta SK Hynix y Microncontinúe el desarrollo de productos basados en 1B DRAM para sistemas HBM4Samsung ha tomado un camino arriesgado, pero potencialmente más rentable: el desarrollo de la tecnología más nueva 1C DRAM. El logro mejorado permitirá a los coreanos aumentar la escala de producción, y planea expandir sus actividades en las plantas de Hwaseong y Pyeongtek antes de finales de 2025.
Este progreso también respalda el cronograma de producción de HBM4 para los aceleradores HPC y AI, que Samsung tiene la intención de introducir en la producción en masa en la segunda mitad del año. Sin embargo, los expertos enfatizan que los sistemas todavía están en las primeras etapas de desarrollo y requieren monitoreo.
Originalmente, Samsung planeaba comenzar una producción en masa de 1C DRAM a fines de 2024pero decidió rediseñar el sistema, que retrasó la implementación por más de un año. Se producirá una nueva memoria DRAM en la planta de Pyeongtek (línea 4) y se utilizará tanto en dispositivos móviles como en servidores.
