¡Es la carrera por el proceso de grabado de 2 nm para Samsung! El gigante surcoreano afirma estar entre los primeros del sector con SF2, su proceso de 2 nm de primera generación que permitirá la producción en masa a partir de 2025.
El Samsung Foundry Forum se está llevando a cabo actualmente en San José, California. El gigante surcoreano desvela cada año sus avances en semiconductores. En particular, en esta ocasión Samsung reveló que estaba lista para producir chips grabados en 2 nm para 2025. La empresa también tendría planes de nodos Especializado en chips de IA y chips de automoción. Una descripción general rápida.
Samsung producirá en masa chips de 2 nm
Su proceso de grabado de 2 nm de primera generación, denominado SF2, estará listo el próximo año. La versión mejorada, denominada SF2P, llegaría ya en 2026. Samsung afirma haber diseñado también SF2X, una versión especializada del nodo 2 nm diseñado para chips dedicados a la inteligencia artificial (IA) y la informática de servidor de alto rendimiento. Este chip que promete atraer a empresas como Nvidia estará listo para 2026.
Después de SF2, dos nuevos nodos La vanguardia estaría en el menú, respondiendo a los dulces nombres de SF2Z y SF4U. El primero utilizaría tecnología avanzada de “red de suministro de energía trasera» (BSPDN), capaz de mejorar aún más la eficiencia energética y las temperaturas del chip. SF2Z estará listo para la producción en masa en 2027.
Según se informa, Samsung también está planeando una variación del proceso de 2 nm para chips de automóviles. El SF2A también estará listo para su producción en masa en 2027. Este proceso se beneficiaría de una mejora en su arquitectura de transistores. Puerta por todos lados (GAA), mucho más eficiente.
Con estos procesos de grabado de 2 nm, Samsung dice que puede ofrecer chips de bajo consumo, alto rendimiento y gran ancho de banda que pueden personalizarse según los requisitos de sus clientes. La empresa también se defiende de la competencia de TSMC, que está siguiendo un despliegue similar de su proceso de 2 nm.
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Mientras tanto, Samsung se apega a los 3 nm, con lo que inicia una nueva etapa en su carrera. Lanzado en 2022 con el SF3E, el Samsung de 3 nm firmado hasta ahora solo ha ganado contratos para chips de minería de criptomonedas. Ahora se lanza la producción en masa con el nombre . Se rumorea que será el Exynos W1000 el primero en beneficiarse, luego el Exynos 2500 del Galaxy S25.
Respecto al proceso de grabado de 4 nm:
- El proceso SF4X de cuarta generación se adaptaría mejor a los chips dedicados a la IA
- El nuevo SF4A estará optimizado para chips de automoción.
- El SF4U, por su parte, ofrecerá mejoras en cuanto a potencia bruta. Se implementará a partir de 2025.
Fuente: SamMobile
